Transistores Bipolar de Potência

Os transistores bipolar de potência apresentam um importante passo para o desenvolvimento de componentes de média potência, atingindo tensões de bloqueio da ordem de 1000V conduzindo corrente de 500A.

Embora estes valores não permitam sua aplicação direta, estes dispositivos são a base para uma série de outros conversores de condicionamento de energia elétrica.

Os elétrons presentes nos transistores do tipo NPN são atraídos do emissor pelo potencial positivo da base, sendo a corrente real dos elétrons, J1 se transforma numa válvula de vácuo diretamente polarizada.

Esta camada central é suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia capaz de atravessá-la, chegando a região de transição J2, sendo então atraídos pelo potencial positivo do coletor.

As bordas arredondadas permitem uma homogeneização o campo elétrico necessário á manutenção de ligeiras polarizações reversas entre base e emissor.

O TBP não sustenta tensão no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca ruptura em baixas tensões (5 a 20 V).

A Eletrônica Industrial nos possibilita analisar parte de um sistema geral identificando variáveis e seus entornos capacitando o raciocínio lógico e conscientização do impacto social tecnológico.

Flávia couto Basso.